もくじ
午後 問56
半導体について正しいのはどれか。
- 室温中のドナー原子は負イオンになる。
- 真性半導体のフェルミ準位は伝導帯に位置する。
- フェルミ準位が禁制帯の上方に位置するほど正孔は多い。
- pn接合の熱平衡状態では各領域のフェルミ準位は一致する。
- pn接合の逆方向バイアスでは多数キャリアが接合面を通過する。
解説
- フェルミ準位が高いほど正孔密度は減少する
- pn接合の逆方向バイアスでは空乏層が拡大するので多数キャリアは通過しない
- 真性半導体のフェルミ準位は禁制帯のほぼ中央に位置する
答え 4
午後 問57
オペレーションアンプ回路を図に示す。
出力電圧 Vo[V]で正しいのはどれか。
- -6.0
- -3.0
- -2.7
- 3.0
- 6.0
解説
回路図は加算器と非反転増幅器がつながっている
加算器は V = -20000 ( 0.1/10000 + 0.2/10000)= -0.6
よって非反転増幅器は V =( 1 + 9/1 )× -0.6
答え 1
午後 問58
荷電粒子線による吸収線量を算出するための物理量はどれか。2つ選べ。
- フルエンス
- 質量衝突阻止能
- エネルギーフルエンス
- 質量エネルギー吸収係数
- 質量エネルギー転移係数
解説
フルエンスと質量衝突阻止能の積で算出する
答え 1,2
午後 問59
照射線量Xを表す式はどれか。
ただし、Ψは光子のエネルギーフルエンス、μtr /ρは空気に対する質量エネルギー転移係数、μen /ρは空気に対する質量エネルギー吸収係数、μ/ρは空気に対する質量減弱係数、Wは空気中で1イオン対を作るのに必要なエネルギー、eは素電荷とする。
答え 5
午後 問60
物理量と単位の組合せで誤っているのはどれか。
- カーマ
- 阻止能
- 放射能
- 吸収線量率
- 質量減弱係数
解説
質量減弱係数の単位はm2kg-1
答え 5